Intel和美光的闪存合资企业IMFT创建于2006年1月，主要生产NAND闪存，其首个制造工厂位于犹他州Lehi地区，目前Intel和美光的25nm工艺闪存主要是从这里和在新加坡今年刚投产的IMFS工厂制造。（IMFS主要负责亚太市场）
如图，IMFT生产的晶元，49%销售给Intel，另外51%则归美光。
IMFT 25nm生产厂位于犹他州一个背靠山脉的平地上
工厂结构图
操作间都是采用倒吸风式设计，以保证环境始终保持无尘净化间保持最高的微尘级别。
搬运和自动装载晶圆的Front Opening Unified Pod (FOUP)
在300mm采用25nm技术光刻出的NAND闪存芯片。25nm NAND闪存芯片使用沉浸式光刻技术，内核面积167平方毫米，容量8GB(64Gb)，每单元容量2比特(2-bit-per-cell)，支持开放式NAND闪存接口ONFi 2.2，界面速度最高可达200MB/s。
此图为IMFT内的光刻室
此图为晶圆光刻时做的掩模，明显大过晶元本身
图中正在监控光刻进程
光刻完成的300mm晶圆，虽然单晶圆上的NAND芯片数量一致，但是25nm技术让单位面积的容量翻了一倍
近看25nm制程NAND闪存芯片，单个长方形为2GB，单个Die是8GB
25nm制程闪存芯片体积大小
IMFT 25nm生产厂位于犹他州一个背靠山脉的平地上
工厂结构图
操作间都是采用倒吸风式设计，以保证环境始终保持无尘净化间保持最高的微尘级别。
搬运和自动装载晶圆的Front Opening Unified Pod (FOUP)
在300mm采用25nm技术光刻出的NAND闪存芯片。25nm NAND闪存芯片使用沉浸式光刻技术，内核面积167平方毫米，容量8GB(64Gb)，每单元容量2比特(2-bit-per-cell)，支持开放式NAND闪存接口ONFi 2.2，界面速度最高可达200MB/s。
此图为IMFT内的光刻室
此图为晶圆光刻时做的掩模，明显大过晶元本身
图中正在监控光刻进程
光刻完成的300mm晶圆，虽然单晶圆上的NAND芯片数量一致，但是25nm技术让单位面积的容量翻了一倍
近看25nm制程NAND闪存芯片，单个长方形为2GB，单个Die是8GB
25nm制程闪存芯片体积大小
大家都知道，任何产品都会有等级分别，例如在之前PCEVA测试美光M4的时候就曾经说过美光不符合标准的颗粒正常情况下会送到SpecTek 部门里去做第二次分拣，而拿Intel的闪存颗粒来说，它的等级是如何划分的呢？不合格的颗粒去了哪里了？下面是我了解下来的Intel闪存颗粒等级分别：
从上面2张图里可以理解为：从Intel那里流出去封装的25nm晶元肯定都不是啥好货色（非原厂标的颗粒基本是1000 P/E 以下了）。
从这这张图里可以看到：不同等级的颗粒，不光P/E不同，连出错率也是不同的。（虽然ECC要求相同）
这张图则表示：尾号为ME1的25nm颗粒，P/E均为1000，其中生产日期为11年前的，因为晶元封装时内部电路引脚没有完全连接，只支持异步模式，而生产日期为11年后的，晶元封装时内部电路引脚完全连接，可以运行在同步模式。这也解释了我们之前说的SandForce主控有厂商强制开启同步模式的问题。金士顿的HyperX系列SSD有说采用ccMLC颗粒（前几日有网友在论坛爆料说看到内部是美光颗粒，不过未经证实），而OCZ早期的有部分Vertex 3也有采用ccMLC颗粒的（ME2尾号），这些P/E都是5000的，价格也偏高，属于优质MLC颗粒。而E3 MLC颗粒，是Intel新出的品质在ccMLC和普通MLC之间的P/E 3000次的颗粒，目前有听说在OCZ REVO 3产品线上使用，因为刚生产，所以用的还不多。
从上面2张图里可以理解为：从Intel那里流出去封装的25nm晶元肯定都不是啥好货色（非原厂标的颗粒基本是1000 P/E 以下了）。
这张图则表示：尾号为ME1的25nm颗粒，P/E均为1000，其中生产日期为11年前的，因为晶元封装时内部电路引脚没有完全连接，只支持异步模式，而生产日期为11年后的，晶元封装时内部电路引脚完全连接，可以运行在同步模式。这也解释了我们之前说的SandForce主控有厂商强制开启同步模式的问题。金士顿的HyperX系列SSD有说采用ccMLC颗粒（前几日有网友在论坛爆料说看到内部是美光颗粒，不过未经证实），而OCZ早期的有部分Vertex 3也有采用ccMLC颗粒的（ME2尾号），这些P/E都是5000的，价格也偏高，属于优质MLC颗粒。而E3 MLC颗粒，是Intel新出的品质在ccMLC和普通MLC之间的P/E 3000次的颗粒，目前有听说在OCZ REVO 3产品线上使用，因为刚生产，所以用的还不多。
首先我们先来看Intel自家的SSD系列，第一个自然是大家喜欢叫”gen3”的Intel 320系列SSD了，可见上一代X25-M Gen2多么的成功的一款产品。
上面是Intel 320 300G 内部PCB图片和主控，颗粒特写，我们都知道Intel 320相比上一代Gen 2最大的不同是增加了掉电保护电容，缓存的容量也加大了。颗粒自然是换成了新一代的25nm了，如果你看图中的颗粒特写，这是单颗16GB（QDP）的Intel L74家族的颗粒，注意尾号ME1，按照Intel自己的说法，这个P/E是1000的，被Intel用来当做SD卡，移动存储等级的颗粒，现在被用来做自家低端320的SSD，未免让我觉得比较吃惊。一开始我还真不相信，不过结合下面几点，我现在也是半信半疑了：
1. 众所周知Intel 320全系列都带冗余(XOR)，比如这个300GB的容量SSD，实际颗粒是320GB的。（如图正反各10颗16GB），也就是说当其中某一个Die失效时，数据还是不会丢失。
按照Intel自己的说法，靠此法稳定性大增，虚拟演示下，5年来靠XOR完美恢复14次，反过来理解，是不是代表颗粒用的不太好呢？。（出处http://techreport.com/articles.x/20653 ）
2. Intel 320发布后，“8M”门事件非常多（据我所知，在X25-M Gen1内测时候就有这个问题，所以我一再强调，此问题无法从根本解决，只是竟可能减少发生的概率，本以为加了电容会解决），这个可不是我瞎说，不然Intel也不会专门出个0362补丁来补了。从这件事上来看，如果Intel并没有非常多的改变自己的FTL层面算法，加了电容后反而更怕掉电从何说起呢？会不会是采用25nm的颗粒质量有问题呢？
3. 使用Intel SSD的朋友都会用Intel Toolbox吧，是不是发现，Intel的320系列SSD很早就可能出现重映射呢？按照我对闪存的理解，重映射是闪存质量不过关的表现，虽然有强大的ECC算法，但是很多时候还是无法纠正错误的，而且最重要一点，颗粒的出错率和P/E数有关，越到闪存寿命的后期（接近或者超过官标P/E值的时候），颗粒出现bit错误的概率会越来越多，就像P/E 1000的颗粒和P/E 5000的颗粒从一开始来讲，出错的概率就不同，更不用提大家各磨损900次后，前者接近完蛋而后者依然坚挺的时候了。（出处：http://www.xtremesystems.org/forums/）
如图，Intel 320 夸张的重映射。（12小时前105的重映射，忽然之间变成4000多，可能有个Die整个完蛋了，XOR救了这块盘）
上面是Intel 320 300G 内部PCB图片和主控，颗粒特写，我们都知道Intel 320相比上一代Gen 2最大的不同是增加了掉电保护电容，缓存的容量也加大了。颗粒自然是换成了新一代的25nm了，如果你看图中的颗粒特写，这是单颗16GB（QDP）的Intel L74家族的颗粒，注意尾号ME1，按照Intel自己的说法，这个P/E是1000的，被Intel用来当做SD卡，移动存储等级的颗粒，现在被用来做自家低端320的SSD，未免让我觉得比较吃惊。一开始我还真不相信，不过结合下面几点，我现在也是半信半疑了：
1. 众所周知Intel 320全系列都带冗余(XOR)，比如这个300GB的容量SSD，实际颗粒是320GB的。（如图正反各10颗16GB），也就是说当其中某一个Die失效时，数据还是不会丢失。
按照Intel自己的说法，靠此法稳定性大增，虚拟演示下，5年来靠XOR完美恢复14次，反过来理解，是不是代表颗粒用的不太好呢？。（出处http://techreport.com/articles.x/20653 ）
2. Intel 320发布后，“8M”门事件非常多（据我所知，在X25-M Gen1内测时候就有这个问题，所以我一再强调，此问题无法从根本解决，只是竟可能减少发生的概率，本以为加了电容会解决），这个可不是我瞎说，不然Intel也不会专门出个0362补丁来补了。从这件事上来看，如果Intel并没有非常多的改变自己的FTL层面算法，加了电容后反而更怕掉电从何说起呢？会不会是采用25nm的颗粒质量有问题呢？
3. 使用Intel SSD的朋友都会用Intel Toolbox吧，是不是发现，Intel的320系列SSD很早就可能出现重映射呢？按照我对闪存的理解，重映射是闪存质量不过关的表现，虽然有强大的ECC算法，但是很多时候还是无法纠正错误的，而且最重要一点，颗粒的出错率和P/E数有关，越到闪存寿命的后期（接近或者超过官标P/E值的时候），颗粒出现bit错误的概率会越来越多，就像P/E 1000的颗粒和P/E 5000的颗粒从一开始来讲，出错的概率就不同，更不用提大家各磨损900次后，前者接近完蛋而后者依然坚挺的时候了。（出处：http://www.xtremesystems.org/forums/）
如图，Intel 320 夸张的重映射。（12小时前105的重映射，忽然之间变成4000多，可能有个Die整个完蛋了，XOR救了这块盘）
系统开始报错，重映射5120。
继续重映射，备用区1
看看Intel 320如今的低价格，再看看Intel 710采用eMLC的价格，他们的颗粒都是从一个晶圆上下来的，区别只是内部参数的微调和等级了，果然还是像卖处理器一样，至尊版和阉割版的区别吧。
闪存小知识： 闪存有恢复期，厂商给出的P/E值是最低值，实际要高出不少，如果让闪存适当的休息，可以提高最大P/E值(通电情况下的休息)，如果在超过官标P/E很多的SSD上完全断电时间稍长，那么很可能下次开机就再也点不亮了。（超过官标P/E很多的闪存漏电很快，如果由于闪存上的固件副本因为漏电造成出错，那么也就点不亮了。） （出处：http://www.usenix.org/event/hotstorage10/tech/full_papers/Mohan.pdf）
闪存小知识： 闪存有恢复期，厂商给出的P/E值是最低值，实际要高出不少，如果让闪存适当的休息，可以提高最大P/E值(通电情况下的休息)，如果在超过官标P/E很多的SSD上完全断电时间稍长，那么很可能下次开机就再也点不亮了。（超过官标P/E很多的闪存漏电很快，如果由于闪存上的固件副本因为漏电造成出错，那么也就点不亮了。） （出处：http://www.usenix.org/event/hotstorage10/tech/full_papers/Mohan.pdf）
看完Intel自家的SSD，接下来我们再来看看别家的：
威刚的S511系列SSD，11年之后生产的ME1颗粒，支持同步模式，但是P/E是1000次的，也是最便宜的原厂25nm颗粒。
威刚的S511系列SSD，11年之后生产的ME1颗粒，支持同步模式，但是P/E是1000次的，也是最便宜的原厂25nm颗粒。
和威刚不同，OCZ喜欢混搭卖，比如下面：
非常好的ccMLC颗粒（ME2），支持同步模式，P/E是5000次的，比较贵。
这一块就是11年之后生产的ME1颗粒，和威刚一样了。
非常好的ccMLC颗粒（ME2），支持同步模式，P/E是5000次的，比较贵。
这一块就是11年之后生产的ME1颗粒，和威刚一样了。
总结：颗粒也是分三六九等的，不要看到是intel的标就认为可以完全放心，其实intel内部也有不同等级划分。相信还有很多别的厂家在用各种各样的打磨怪颗粒，这里就不一个个说了，只要大家清楚就行。
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